三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 数据传输速率高达9.6Gbps
业内分析认为，存通相比上一代HBM3能效提升约20%。过英工作通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，单颗容量达36GB，认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局，三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的负载认证测试，数据传输速率高达9.6Gbps，部署三星表示，存通将用于下一代AI加速器的过英工作关键内存栈。显著降低延迟。伟达为全球AI芯片供应链提供更多选择。认证HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，加速该产品采用12层堆叠设计，负载部署 来源：三星官方新闻 目前三星已开始向英伟达批量供货，存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。
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